Твердотельный накопитель Samsung MZ-V7S1T0BW

Характеристики для Твердотельный накопитель Samsung MZ-V7S1T0BW

Основные характеристики

Емкость

1000 ГБ

Назначение

для ноутбука и настольного компьютера

Форм-фактор

2280

Тип флэш-памяти

TLC 3D NAND

Контроллер

Samsung Phoenix

Подключение

Интерфейс PCI-E

есть

Тип PCI-E

PCI-E 3.0 x4

Разъем M.2

есть

Параметры накопителя

Скорость чтения

3500 МБ/с

Скорость записи

3300 МБ/с

Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)

550000 IOPS

Суммарное число записываемых байтов (TBW)

600 ТБ

Поддержка секторов размером 4 КБ

есть

Объем буфера

1024 МБ

Шифрование данных

есть

Поддержка TRIM

есть

Поддержка NVMe

есть

Время наработки на отказ

1500000 ч

Ударостойкость при работе

1500 G

Ударостойкость при хранении

1500 G

Дополнительно

Макс. рабочая температура

70° C

Ширина

22.15 мм

Высота

2.38 мм

Длина

80.15 мм

Вес

8 г